用程控儀詢問打印出ICD的工作參數(shù),原先設(shè)置是:心室顫動(dòng)(ventricular fibrillation,VF)識(shí)別間期為320ms,室性心動(dòng)過速(ventricular tachycardia,VT)識(shí)別間期為400ms,猝發(fā)指標(biāo)(on set criteria)為關(guān)閉。放電參數(shù):ICD識(shí)別類型為VT,平均間期380ms,放電6次均未獲成功,持續(xù)2.7min。識(shí)別VT所需的RR間期數(shù)目(number of intervals for detection,NID)為12/16,感知靈敏度為0.3mV。放電治療方式與能量分別為:第1次治療放電為掃描斜坡式短陣快速刺激(ramp burst)抗心動(dòng)過速起搏(antitachycardia pacing,ATP),持續(xù)發(fā)放8次電脈沖,脈沖間期從350ms每次遞減10ms,第2次治療為10J低能量電擊轉(zhuǎn)復(fù)心律,第3次至第6次均以34J高能量電擊,但均無效。此后ICD停止了工作。全程心電圖均為窄QRS波心動(dòng)過速,心率160次/min左右(圖1)。
章隆泉
關(guān)鍵詞
:植入型心律轉(zhuǎn)復(fù)除顫器(implantable cardioverter defibrillator,ICD)患者男性,48歲。因心肌炎后遺癥、室性早搏(室早)、呈R波在T波上(R on T)致尖端扭轉(zhuǎn)性室性心動(dòng)過速(室速),伴暈厥。長期服用胺碘酮療效不佳。于1999年3月31日植入美國Medtronic公司Jewel7221植入型心律轉(zhuǎn)復(fù)除顫器(implantable cardioverter defibrillator,ICD),手術(shù)經(jīng)過及術(shù)后恢復(fù)順利。
術(shù)后第14d,患者因奔跑上樓,感到ICD連續(xù)放電,立即心電監(jiān)測為竇性心動(dòng)過速,頻率為160次/min左右,給予毛花甙丙及安定治療,心率逐漸下降,血壓趨于穩(wěn)定。
用程控儀詢問打印出ICD的工作參數(shù),原先設(shè)置是:心室顫動(dòng)(ventricular fibrillation,VF)識(shí)別間期為320ms,室性心動(dòng)過速(ventricular tachycardia,VT)識(shí)別間期為400ms,猝發(fā)指標(biāo)(on set criteria)為關(guān)閉。放電參數(shù):ICD識(shí)別類型為VT,平均間期380ms,放電6次均未獲成功,持續(xù)2.7min。識(shí)別VT所需的RR間期數(shù)目(number of intervals for detection,NID)為12/16,感知靈敏度為0.3mV。放電治療方式與能量分別為:第1次治療放電為掃描斜坡式短陣快速刺激(ramp burst)抗心動(dòng)過速起搏(antitachycardia pacing,ATP),持續(xù)發(fā)放8次電脈沖,脈沖間期從350ms每次遞減10ms,第2次治療為10J低能量電擊轉(zhuǎn)復(fù)心律,第3次至第6次均以34J高能量電擊,但均無效。此后ICD停止了工作。全程心電圖均為窄QRS波心動(dòng)過速,心率160次/min左右(圖1)。
圖中5~12這8個(gè)從340ms開始,每次遞減10ms脈沖為抗心動(dòng)過速起搏治療。無效后,行電擊復(fù)律(),連續(xù)5次放電,第1次能量為10J,其后4次均為33J。因該患者系室上性心動(dòng)過速,轉(zhuǎn)復(fù)未獲成功,植入型心律轉(zhuǎn)復(fù)除顫器停止工作
圖1植入型心律轉(zhuǎn)復(fù)除顫器誤識(shí)別后誤放電治療的情況
以上資料表明ICD放電治療是誤放電,是將竇性心動(dòng)過速誤識(shí)別為室性心動(dòng)過速所致。
為預(yù)防ICD再發(fā)生誤識(shí)別而誤放電,采取了兩點(diǎn)措施:一是程控調(diào)整ICD參數(shù),將VF的識(shí)別間期從320ms縮短至300ms,VT的識(shí)別間期從400ms縮短至370ms,將猝發(fā)指標(biāo)開啟,心率識(shí)別平均百分比為81%。此外,在給患者每天口服胺碘酮0.2g的基礎(chǔ)上加服美托洛爾25mg.d-1,隨訪至今,未再發(fā)生誤識(shí)別放電現(xiàn)象。
討論 ICD誤識(shí)別是指不是VT或VF的心律被ICD誤認(rèn)為VT或VF,誤識(shí)別導(dǎo)致誤放電治療。
常見被誤識(shí)別的心律有室上性心動(dòng)過速(包括竇性心動(dòng)過速、交界性心動(dòng)過速、房室折返性心動(dòng)過速,房室結(jié)折返性心動(dòng)過速),心房顫動(dòng)伴快速心室率,起搏器介入性心動(dòng)過速等。
Medtronic公司的Jewel7221ICD為單腔熱機(jī)殼(active can)ICD,只有1根置于右心室的電極導(dǎo)線。為本例患者避免誤識(shí)別所采取的措施是:(1)重新程控有關(guān)的參數(shù),提高識(shí)別頻率(減短識(shí)別間期)。如本例識(shí)別VF間期從320ms減短至300ms,識(shí)別VT間期從400ms減短為370ms;(2)設(shè)置猝發(fā)指標(biāo)及調(diào)整適當(dāng)?shù)男穆首R(shí)別百分比。猝發(fā)指標(biāo)是鑒別快速心率為突然發(fā)生抑或逐漸加快的。若為逐漸加快的心率,則判為竇性心動(dòng)過速,突然發(fā)生的快速心率則判為VT。所謂心率識(shí)別百分比是將達(dá)到識(shí)別頻率前、后各3個(gè)心動(dòng)周期平均值相除所得到的數(shù)值,超過此數(shù)值即被確認(rèn)為VT,予以治療。這個(gè)百分比越大,識(shí)別能力越高,誤識(shí)別、誤放電的機(jī)會(huì)越小。
本例患者ICD發(fā)生的誤識(shí)別系識(shí)別頻率設(shè)置偏低,猝發(fā)指標(biāo)未開啟,其功能未被利用所致。
通過此例ICD誤識(shí)別的發(fā)生與糾正,我們體會(huì)到,為使單腔ICD正常工作,準(zhǔn)確程控其工作參數(shù)和密切隨訪至關(guān)重要。
章隆泉(200001上海仁濟(jì)醫(yī)院心內(nèi)科)